Прошить процессор: Ремонт холодильников в Краснодаре и пригороде! Отзывы !

Содержание

Vertex Impress Flash – Процессор

Nomi i5001 Evo M3

1300 МГц (MediaTek MT6580M, Количество ядер: 4)

Nomi i5012 Evo M2

1300 МГц (MediaTek MT6580A, Количество ядер: 4)

Nomi i5013 Evo M2 Pro

1300 МГц (MediaTek MT6580A, Количество ядер: 4)

Nomi i5014 Evo M4

1300 МГц (MediaTek MT6580A, Количество ядер: 4)

Nomi i5032 Evo X2

1300 МГц (MediaTek MT6580A, Количество ядер: 4)

Nomi i5071 Iron-X1

1300 МГц (MediaTek MT6580A, Количество ядер: 4)

Nomi i5510 Space M

1300 МГц (MediaTek MT6580, Количество ядер: 4)

Nomi i5511 Space M1

1300 МГц (MediaTek MT6580A, Количество ядер: 4)

Nomi i5532 Space X2

1300 МГц (MediaTek MT6580, Количество ядер: 4)

Nomi i5710 Infinity X1

1300 МГц (MediaTek MT6580, Количество ядер: 4)

Nomi i5730 Infinity

1300 МГц (MediaTek MT6580, Количество ядер: 4)

Nomi i6030 Note X

1300 МГц (MediaTek MT6580, Количество ядер: 4)

Symphony i70

1300 МГц (MediaTek MT6580, Количество ядер: 4)

Symphony i75

1300 МГц (MediaTek MT6580, Количество ядер: 4)

QMobile i9i

1300 МГц (MediaTek MT6580M, Количество ядер: 4)

Lanix Ilium X710

1300 МГц (MediaTek MT6580, Количество ядер: 4)

Vertex Impress Flash

1300 МГц (MediaTek MT6580, Количество ядер: 4)

Impression ImSmart A504 Slim Power 3200

1300 МГц (MediaTek MT6580A, Количество ядер: 4)

Impression ImSmart A554 Slim Power 3800

1300 МГц (MediaTek MT6580A, Количество ядер: 4)

Impression ImSmart C502 Ultra Power 5000

1300 МГц (MediaTek MT6580A, Количество ядер: 4)

Impression ImSmart C551 Ultra Power 6200

1300 МГц (MediaTek MT6580A, Количество ядер: 4)

Impression ImSmart C571 Fingerprint

1300 МГц (MediaTek MT6580A, Количество ядер: 4)

HiSense Infinity E7

1300 МГц (MediaTek MT6580, Количество ядер: 4)

Alldocube iPlay8 Pro

1300 МГц (MediaTek MT8321, Количество ядер: 4)

DEXP Ixion E245 Evo 2

1300 МГц (MediaTek MT6580M, Количество ядер: 4)

DEXP Ixion EL450 Force

1300 МГц (MediaTek MT6580A, Количество ядер: 4)

DEXP Ixion ES1050

1300 МГц (MediaTek MT6580A, Количество ядер: 4)

DEXP Ixion ES255 Fire

1300 МГц (MediaTek MT6580, Количество ядер: 4)

DEXP Ixion ES850 Iron

1300 МГц (MediaTek MT6580, Количество ядер: 4)

DEXP Ixion G155

1300 МГц (MediaTek MT6580A, Количество ядер: 4)

DEXP Ixion M340 Steel

1300 МГц (MediaTek MT6580, Количество ядер: 4)

DEXP Ixion M750 Surf

1300 МГц (MediaTek MT6580, Количество ядер: 4)

DEXP Ixion M850

1300 МГц (MediaTek MT6580, Количество ядер: 4)

Новая прошивка позволила разогнать процессор Raspberry Pi 4 до 2147 МГц, обеспечив прирост производительности до 50% по сравнению с номиналом

Микрокомпьютер Raspberry Pi 4 является наиболее производительным решением, чем все предыдущие модели Raspberry Pi. Но журналистам ресурса Tom’s Hardware стало интересно, насколько ещё можно повысить производительность процессора Broadcom BCM2711B0 и до какого уровня можно поднять его частоту (при базовом значении 1,5 ГГц)?

К счастью для экспериментаторов, любой микрокомпьютер Raspberry Pi достаточно легко разогнать. Это можно сделать, просто изменив несколько строк текста в файле /boot/config.txt. С помощью последней прошивки журналисты Tom’s Hardware смогли достичь частоты 2147 МГц, что, по их мнению, является новым максимумом. Предыдущая версия прошивки ограничивала максимальную частоту процессора Raspberry Pi 4 на значении 2 ГГц. Кроме того, в процессе эксперимента также удалось повысить и частоту GPU – до 750 МГц. Базовая частота составляет 500 МГц, а предыдущий результат разгона составлял 600 МГц.

В процессе тестирования было повышено напряжение питания, а для отвода тепла от чипа использовалась активная система охлаждения Pimoroni Fan Shim. Пр простое температура процессора находилась на комфортном уровне 43 градуса Цельсия, а при максимальной нагрузке она оставалась ниже порогового значения в 80 градусов, когда активируется тротлинг.

В процессе тестирования система оставалась стабильной в большинстве случаев использования. Исключение составил лишь тест Phoronix 7zip. При его запуске система каждый раз перезагружалась, не давая завершиться тесту. Вместе с тем, наблюдались заметно лучшие результаты для каждого используемого тестового приложения.

Опустим инструкцию по разгону и повышению частоты процессора Raspberry Pi 4. Тем, кому потребуется повторить процедуру, могут изучить рекомендации из первоисточника. Отметим лишь, что система позволяет повышать напряжение питания на 16 уровней, каждый из которых соответствует приросту примерно на 0,05 В. Но повышение сверх уровня 6 не приводит к дальнейшему увеличению частоты.

Журналисты сравнили  производительность в трёх режимах работы: штатном (1,5 ГГц), предыдущем максимуме (2 ГГц) и новом рекордном значении (2,147 ГГц). В тесте Linpack, который измеряет вычислительные способности с помощью решения сложных уравнений, на новой рекордной частоте был достигнут результат 1280 мегафлопс. Прирост составил 7,3% по сравнению с предыдущим максимумом (2 ГГц) и 46,6% по сравнению с базовой частотой (1,5 ГГц). Также удалось выявить заметный прирост производительности при повышении частоты с 2 ГГц до 2,147 ГГц в тестах PyBench (измеряет производительность для Python), FFmpeg (компрессия видео) и Sci-kit Learn (задачи машинного обучения).

Как сообщалось выше, повышение частоты до 2,147 ГГц негативно сказалось на работоспособности теста Phoronix 7zip. Вероятно, что некоторые другие программы тоже могут плохо работать при таком режиме эксплуатации, но журналисты Tom’s Hardware пока их не выявили.

Источник: Tom’s Hardware

Прошивка процессоров стиральных машин



Причина Сейчас вы не авторизованы.Нужна прошивка для процессора или плата управления для для A А1000Х прогорел процессор. Виталий Иванович, а где вы собираетесь брать прошивки для процессоров? В данном уроке подробно описано как правильно прочитать прошивки стиральных машин, какие прошивки существуют и как их править. Прошивка стиральных машин на платформе A. M семейства RS08 HCS08 HCS12, которые устанавливались на стиральные машины фирм I, AВозможно считывать старую прошивку. Схемы бытовой техники стиральные машины, холодильники, и тд. Замена процессоров и программного обеспечения. Файлообменник Прошивки Фотоальбом Литература Статьи Доступны процессоры на стиральные машину VESTEL, V, F. Стиральных машин, Холодильников, Бойлеров, ПММ, Сушильных машин и т. Доступны процессоры на стиральные машину VESTEL, V, F, O, R. Добрый день, помогите найти прошивку для стиральной машины I RC40. Предлагаю новые, прошитые процессоры на стиральные машины автомат. СМА BEKO, Прошивка процессора Ремонт стиральной машины. В нашей Бесплатной технической библиотеке вы можете свободно скачать большой Сборник прошивок зарубежной аппаратуры, обновление 2018. Скажем в стиральных машинах марки БОШ часто летит блок, который5 Если в блоке управления стоит процессор прошитый прошивкой с завода производителя, и. Прошивка ТВ процессоров фирмы MS и восстановление ПО на практических примерах. Без записанной в память процессора программы, стиральная машина не будет работать, а на табло высветится. Процессор заменил, испробовал две версии прошивки но. A2010, на этом сайте есть таблица соответствия, подберите по серийному и продуктовому коду прошивку и сообщите мне, какая нужна. B WMD Прошивка процессора ATMEGA329V F E. СМА BEKO, контроллер A32, плата 5570 XDC AK60KB02A Нужна прошивка. Прошивка стиральных машин своими руками Рассмотрим же, как делается прошивка на. Можете сделать это, используя форму ниже. BEKO WMB Прошивка процессора ATMEGA649V8AU F E. Данный программатор подходит для программирования процессоров M. Как подключать программатор USBDM кдля процессора, согласно его технической. Начало Прошивки Стиральные машины W. Для выполнения прошивки памяти через процессор необходимо иметь специальное. Прошивка процессора стиральных машин. Прошивка стиральной машины I A на платформе A. Процессор стоит SP, либо же MC9S08GB60, от M. Помогите собрать программатор для прошивки стиральных машин, ну очень надо. Какой купить программатор для прошивки стиральных машин? HCS08HCS12, подходит для фирм Программаторы ключи. Электронный модуль EWM1000 без прошивки стиральной машины E, Z, AEG. Нужна прошивка процессора стиральной машины Атлант. Замена процессоров, прошивка процессоров

Полный и абсолютно. Зачастую смена прошивки автоматической стиральной машины назначается лишь. Наша компания осуществляет прошивку стиральных машин I и A на современном оборудовании, на данный момент действует несколько направлений. Ремонт и прошивка силовых модулей стиральных машин. Процессор Прошивка стиральная машина SAMSUNG TMP91FU62DF TMP86FS49AFG. Чем толще напыление тем больше плотность и появление желтого оотенка в отраженном свете. Процессора E 2 Прошивка Крупнейший русскоязычный файловый архив по электронике. Программа для анализа прошивок стиральных машин D 451. BIOS системной платы корректно стиральные машины, установленные процессоры, и, в целом, работа.

Установка процессора на материнскую плату: 3 простых шага

Установить процессор без помощи мастера не так уж и сложно. Главное — действовать аккуратно и неспеша, и тогда это сэкономит не только деньги, но и время, которое можно было бы потратить на визит компьютерного специалиста. Как и что правильно делать, можно узнать ниже.

Снимаем старый процессор с материнской платы

Если существует задача не сборки компьютера с нуля, а замены уже существующих деталей, то перед тем, как начать устанавливать новый процессор на материнскую плату, нужно убрать оттуда старый. Это несложно сделать, но нужно быть очень аккуратным.

Для того, чтобы добраться до процессора, нужно сперва снять другие детали: вентилятор и радиатор. Чаще всего их снимают вместе, но бывает, что приходится извлекать их по отдельности. Алгоритм замены состоит из таких шагов?

  1. Вытянуть шнур всего системного блока из розетки.
  2. Положить блок на бок и открыть крышку. 
  3. Аккуратно вытянуть проводки, которые тянутся к вентилятору и процессору из разъемов (то есть убрать питание).
  4. Снять кулер. Если он установлен на заклепках, их просто нужно повернуть, а если видно болтики, то их нужно открутить отверткой. Затем его нужно слегка расшатать, чтобы расшевелить термопасту, которая могла приклеиться, и снять.
  5. Потянуть рычажок крепления процессора и аккуратно его извлечь. Может быть такое, что кроме маленького рычажка еще есть металлическая пластина крепления, которую тоже нужно аккуратно поддеть и снять.

Во время всех этих процессов не нужно прилагать силу, не то можно повредить детали. Все должно двигаться легко и без проблем. 

Также по теме: 5 лучших процессоров от Intel для NVidia GeForce GTX 1060

Как установить процессор

Установка нового процессора на материнскую плату — это процедура довольно проста, но требует внимания и аккуратности. Сначала следует приобрести процессор с нужным сокетом, то есть специальным разъемом, который должен скрепляться с материнской платой. Дальше вопроса о том, как правильно установить процессор на новую или старую материнскую плату, возникнуть не должно. На ЦП видно ключи — небольшие выемки или ножки, которые должны попасть в сокет, поэтому поставить его вверх ногами просто не получится. Так что нужно внимательно посмотреть на детали, чтобы понять, как именно устанавливается выбранный процессор на конкретную материнскую плату, и сделать несколько действий:

  • Отодвинуть рычажок крепления, чтобы освободить сокет.
  • Состыковав по ключам, аккуратно и без усилий поставить процессор на место. 
  • Закрыть рычажок. 

Если процессор не становится, не нужно на него давить! Нужно вытянуть его и еще раз поставить так, чтобы все выемки совпали. 

Интересно узнать: Как выбрать материнскую плату для компьютера?

Нанесение термопасты

После того, как процессор зафиксирован, нужно нанести на его кристалл термопасту. Часто она уже нанесена или идет в комплекте, но многие советуют перестраховаться, и убрав старый слой, покрыть кристалл новым.

Для этого в середину процессора выдавливается небольшая капля пасты и равномерно распределятся так, чтобы получился тонкий слой. Не нужно использовать ее много — это не бутерброд с вареньем: слишким толстый слой плохо скажется на работе компьютера. 

Также может быть интересно: Как собрать игровой компьютер, какие комплектующие купить: 3 варианта на выбор

Как установить кулер/радиатор на процессор

Строение процессоров и других комплектующих двух основных конкурентов (Intel и AMD) немного разнится, поэтому целесообразно рассмотреть, как устанавливается охладительная система на разные по параметрам материнские платы для каждого брендов.

Intel

Кулеры Іntel обычно имеют очень простую систему крепления — четыре ножки на защелках. Так, например, установка процессора Intel Celeron G4920 на материнскую плату в гнездо LGA1151 будет такой:

  • Найти под ножки разъемы на материнской плате, вставить их и закрыть защелки. Лучше защелкивать их по диагонали, чтобы ровно закрепить. 
  • Подсоединить провода к питанию. На них также есть ключи, поэтому вставить их неправильно не выйдет.  
  • Если провод слишком длинный, то его лучше как-то зафиксировать, чтобы он случайно не попал в вентилятор. 

Можно сравнить: Сравнение 2 бюджетных игровых видеокарт — GTX 1050 против GTX 1050 TI

AMD

У AMD система крепления также несложная, только защелки сделаны в виде петель или рычажков. По сути, нужно проделать все те же шаги, что и в случае с Интел, но с небольшими изменениями. Например, чтобы закрепить кулер, устанавливая процессор AMD Athlon 200GE, нужно:

  • Найти разъем для кулера на материнской плате;
  • Вставить его;
  • Накинуть петли/потянуть рычажки;
  • Подсоединить деталь к питанию.

Даже если кулеры не таких видов, как описано выше, их установка понятна на интуитивном уровне. Главное — не забывать про термопасту и не применять силу к хрупким механизмам. А если все еще остались сомнения, то можно посмотреть видео, которых очень много в сети. 

Что делать, если после установки процессора не включается ПК

Причин, по которым компьютер отказывается включаться после установки процессора, много: неправильная установка, не тот процессор, банально забыли подключить проводки. Чаще всего возникает проблема, когда сам компьютер работает, но экран остается черным. Если есть уверенность в том, что процессор совместим с материнкой и все подключено правильно, то что-то из предложенных в таблице ниже вариантов должно сработать. 

Читайте также: 3 популярных вида матриц: IPS, PLS и TN — какой монитор лучше

Как можно заметить, собрать компьютер даже новичку в этом деле несложно. Нужно соблюдать инструкцию, не торопиться и следовать советам более опытных мастеров. Даже если что-то не получится с первого раза, это скорее всего не критично и нужно просто начать сначала. Но если нет уверенности в том, что детали друг другу подходят, то лучше еще раз перепроверить, чтобы не пришлось бежать за новыми деталями.

как подключить к компу и прошить процессор от стиральной машины

как подключить к компу и прошить процессор от стиральной машины – Умные вопросы indesit iwc 6085 b причина того что я хочу её перепрошить: при стирании она начала зависать, бесконечно сливать воду или выжимать, потом начали моргать все лампочки, и вот теперь она совсем не включается, блок питания и и остальные платы проверили, всё нормально, повреждений нет.
значит что то с процессором, если у вас есть другие варианты то пожалуйста ответьте. 9 годов назад от Влад Емельянов

2 Ответы

Нужно сделать индукцию полд углом 78 градусов и передать информацию по ней. так вы можете запрограммировать е на любые действия, например вы можете в 3 раза ускорить стирку (эта фича от разработчиков, которая по умолчанию выключена) или функцию, что она стирать юудет еще чище. 9 годов назад от smolitskiy
Всм по сути. мои дети, Которые еще не родились, уже вкурсе как это делать. ты не туда обратнился 9 годов назад от АнUtka

Связанные вопросы

2 ответов

9 годов назад от Денис Абдуллаев

1 ответ

6 годов назад от Марсель Гадельшин

3 ответов

6 годов назад от Вадим Эюбов

Как прошить процессор CVA Si2000V5 MLB

В систему надо войти в качестве пользователя mnadmin!!!!!!!

 

       Процессорную плату необходимо подготовить для правильной работы. Для этой подготовки используется монитор “Bug”, находящийся в запоминающем устройстве ROM на процессорной плате уже при поставке. Необходимым является наличие связи с сетью LAN, по которой загружается код для запоминающего устройства FLASH. Но сначала, до этой операции, следует в узле MN скопировать в директорий c:\Flash файл с программой инсталляции и загрузки. 

       В MN запустите TFTPServer95.exe, обеспечивающий передачу программы инсталляции и загрузки в узел. После запуска появляется следующее окно:

 

      Выберите меню TFTP -> Configure. Откроется новое окно TFTP Server95 configuration on …, в которое необходимо записать путь к файлу, который вы потом передаете в AN в поле

Default directory. Введите c:\Flash, как это указано на рисунке. Подтвердите с помощью кнопки OK”.  

      После каждого изменения в установке параметров программы TFTP Server95 необходимо произвести запуск этой программы заново.

 

 

       Проверьте IP-адрес узла MN. Выберите меню Start -> Programs -> Command Prompt. IP-адрес проверяется с помощью команды ipconfig, как это показано на рисунке:

 

 

 Основная установка процессорной платы

На платформе o53 (модуль MLB) процессорная плата должна быть сконфигурирована как контроллер системы.

       Включение процессорной платы в режиме “Bug”

 

Установка банка данных для паботы в режиме “Bug”

 

Переключатель J11 должен быть установлен так, чтобы перемычка (англ. jumper) не соединяла выводов 7 и 8. После включения должна появиться следующая строка, похожая на командную:

162-Bug>

 

       На консоли выводится знак приглашения
      162-Bug>
Выполните команду
      162-Bug >time

       Должны появиться текущее реальное время и дата. Если время неправильное или выводится сообщение No clock is ticking, введите точное время с помощью ккоманды       

 

           

162-Bug >set <параметр>, где параметр: MMDDYYhhmm


            Пример:           set 0130971559
            означает  30.1.1997 15:59:00

 

       При первой инсталляции ЗУ флеш наберите еще env;d. Команда устанавливает все параметры на значение по умолчанию.

 

env;d

 

       Защита данных по конфигурации платы

        Так как запоминающее устройство BBRAM, в котором находятся важные данные о плате, можно переписать, эти данные записываются также в последний блок ЗУ флэш, из которого они при необходимости берутся программами инсталляции и загрузки. Запись данных в ЗУ флэш выполняется следующим способом:

 

162-Bug>bm fffc1ef8:110 100000          <return>

Effective address: FFFC1EF8

Effective count  : &544

Effective address: 00100000

162-Bug>pflash 100000:110 ffaf0000     <return>

Source Starting/Ending Addresses      =00100000/0010010F

Destination Starting/Ending Addresses =FFAF0000/FFAF010F

Number of Effective Bytes             =00000110 (&272)

 

Program FLASH Memory (Y/N)? y         <return>

Erasing Block Number     =15 ($FFAF0000)

Programming Block Number =15 ($FFAF0000)

FLASH Memory Programming Complete

 

       Установка параметров сети

Двоичный файл инсталляции и загрузки переносится на плату через сеть. Поэтому необходимо установить IP-адреса узла AN и хост-компьютера, из которого ранее упомянутый файл будет передаваться. Если узел AN и сервер TFTP не находятся в одной и той же сетевой зоне, необходимо определить также адрес шлюза (англ.

gateway). Это выполняется с помощью команды niot (Network I/O Teach):

 

162-Bug>niot               <return>

Controller LUN =00?      <return>

Device LUN     =00?      <return>

Node Control Memory Address =FFE10000?      <return>

Client IP Address      =0.0.0.0? 10.5.10.8           <введите IP-адрес AN>

Server IP Address      =0.0.0.0? 10.5.10.17         <введите IP-адрес MN/MT>

Subnet IP Address Mask =255.255.255.0?         <return>

Broadcast IP Address   =255.255.255.255?        <return>

Gateway IP Address     =0.0.0.0?                      <return>

Boot File Name (“NULL” for None)     =?             <return>

Argument File Name (“NULL” for None) =?          <return>

Boot File Load Address         =001F0000?          <return>

Boot File Execution Address    =001F0000?       <return>

Boot File Execution Delay      =00000000?         <return>

Boot File Length               =00000000?              <return>

Boot File Byte Offset          =00000000?             <return>

BOOTP/RARP Request Retry       =00?             <return>

TFTP/ARP Request Retry         =00?                 <return>

Trace Character Buffer Address =00000000?       <return>

BOOTP/RARP Request Control: Always/When-Needed (A/W)=W?          <return>

BOOTP/RARP Reply Update Control: Yes/No (Y/N)       =Y?                   <return>

 

Update Non-Volatile RAM (Y/N)? n

 

Если нет необходимости во вводе всех данных, ввод данных можно завершить преждевременно, поставив точку. Необходимо обязательно определить IP-адреса клиента и сервера (Client IP Address и Server IP Address), а также IP-адрес шлюза (Gateway IP Address), если сервер TFPT и узел AN не находятся в одной и той же сетевой зоне.

 

       Передача двоичного файла в ЗУ RAM узла

После установки IP-адресов двоичный файл передается в ЗУ RAM с помощью команды niop (Network I/O Physical):

 

162-Bug>niop

Controller LUN =00?      <return>

Device LUN     =00?      <return>

Get/Put        =G?          <return>

File Name      =? INSTALL.bin               <return>

Memory Address =0000E000? 100000   <return>

Length         =00000000?                      <return>

Byte Offset    =00000000?         <return>

 

Bytes Received =&698029, Bytes Loaded =&698029

Bytes/Second   =&87253, Elapsed Time =8 Second(s)

 

Правильно ли был передан файл, определяют данные Bytes Received и Bytes Loaded, длина которых должна быть одинаковой длине двоичного файла инсталляции и загрузки. Таким способом двоичный файл передан в ЗУ RAM, из которого его надо еще скопировать в ЗУ флэш.

 

       Запись кода в ЗУ флэш

Переданный код находится в ЗУ RAM по адресу 100000 (шестнадцатеричный). Программирование ЗУ флэш осуществляется с помощью команды pflash (Program FLASH Memory):

 

      PPC1-Bug>pflash src_address:size dest_address <return>

 

Параметр size должен быть больше или равняться длине двоичного файла.

 

162-Bug>pflash 100000:&698029 ffa00000                    <return>

Source Starting/Ending Addresses      =00100000/001AA6AC

Destination Starting/Ending Addresses =FFA00000/FFAAA6AC

Number of Effective Bytes             =000AA6AD (&698029)

 

Program FLASH Memory (Y/N)? y <return>

Erasing Block Number     =00 ($FFA00000)

Erasing Block Number     =01 ($FFA10000)

Erasing Block Number     =02 ($FFA20000)

Erasing Block Number     =03 ($FFA30000)

Erasing Block Number     =04 ($FFA40000)

Erasing Block Number     =05 ($FFA50000)

Erasing Block Number     =06 ($FFA60000)

Erasing Block Number     =07 ($FFA70000)

Erasing Block Number     =08 ($FFA80000)

Erasing Block Number     =09 ($FFA90000)

Erasing Block Number     =10 ($FFAA0000)

Programming Block Number =00 ($FFA00000)

Programming Block Number =01 ($FFA10000)

Programming Block Number =02 ($FFA20000)

Programming Block Number =03 ($FFA30000)

Programming Block Number =04 ($FFA40000)

Programming Block Number =05 ($FFA50000)

Programming Block Number =06 ($FFA60000)

Programming Block Number =07 ($FFA70000)

Programming Block Number =08 ($FFA80000)

Programming Block Number =09 ($FFA90000)

Programming Block Number =10 ($FFAA0000)

FLASH Memory Programming Complete

 


Скачать прошивку MLNL0A14. bin

Скачать инструкцию Прошивка процессора CVA Si2000 MLB.doc  

AMD исправила брешь в прошивке своих процессоров

AMD исправила брешь в прошивке своих процессоров

Alexander Antipov

Эксплуатация уязвимости позволяла злоумышленникам внедрить в прошивку вредоносное ПО.

Производитель интегральной микрочиповой электроники AMD исправил уязвимости в ряде своих процессоров, сообщает портал The Register. Эксплуатация бреши позволяла злоумышленникам внедрить в прошивку вредоносное ПО.

Уязвимость была обнаружена в процессорах семейств «Trinity», «Richland», «Kaveri» и «Kabini» чешским программистом Рудольфом Мареком (Rudolf Marek), который рассказал о ней на конференции Chaos Communications Congress. Правда, эксперт сфокусировался только на векторе атаки, оставив в стороне конкретные сценарии.

По словам специалиста, прошивка недостаточно корректно проверяет подписи кода, что позволяет преступнику внедрить свой собственный код и выполнить его. Это осуществляется через блок System Management Unit (SMU). Марек взломал ключ, который используется для подписи кода хэшем SHA1. Он взял код SMU из обновления BIOS, после чего запустил его на эмуляторе. После взлома Марек смог добавить свои собственные команды в SMU и выполнить их.

Прошивка предоставляется AMD в рамках AGESA (AMD Generic Encapsulated Software Architecture). Она уже была обновлена в конце ноября. В ходе своего выступления Марек призвал производителей материнских плат и ноутбуков обновить устаревший BIOS в своих продуктах.


В нашем телеграм канале мы рассказываем о главных новостях из мира IT, актуальных угрозах и событиях, которые оказывают влияние на обороноспособность стран, бизнес глобальных корпораций и безопасность пользователей по всему миру. Узнай первым как выжить в цифровом кошмаре!
Поделиться новостью:

Что такое флэш-память и как она работает?

Флэш-память, также известная как флэш-память, представляет собой тип энергонезависимой памяти, которая стирает данные в блоках, называемых блоками , и перезаписывает данные на уровне байтов. Флэш-память широко используется для хранения и передачи данных в потребительских устройствах, корпоративных системах и промышленных приложениях. Флэш-память сохраняет данные в течение длительного периода времени, независимо от того, включено или выключено устройство с флэш-памятью.

Флэш-память

используется в корпоративных центрах обработки данных, серверах, системах хранения и сетевых технологиях, а также в широком спектре бытовых устройств, включая USB-накопители, также известные как карты памяти, SD-карты, мобильные телефоны, цифровые камеры, планшеты. компьютеры и PC-карты в ноутбуках и встроенных контроллерах.Например, твердотельные накопители на основе флэш-памяти NAND часто используются для повышения производительности приложений с интенсивным вводом-выводом. Флэш-память NOR часто используется для хранения управляющего кода, такого как базовая система ввода-вывода (BIOS), в ПК.

Флэш-память

также используется для вычислений в памяти, чтобы повысить производительность и масштабируемость систем, которые управляют и анализируют большие наборы данных.

Происхождение технологий флэш-памяти

Доктору Фудзио Масуоке приписывают изобретение флэш-памяти, когда он работал в Toshiba в 1980-х годах.Сообщается, что коллега Масуоки, Сёдзи Ариидзуми, придумал термин flash , потому что процесс стирания всех данных с полупроводникового чипа напомнил ему вспышку фотокамеры.

Флэш-память

произошла от стираемой программируемой постоянной памяти (EPROM) и электрически стираемой программируемой постоянной памяти (EEPROM). Флэш-память технически является вариантом EEPROM, но в отрасли зарезервирован термин EEPROM для стираемой памяти на уровне байтов и применяется термин флэш-память для более крупной стираемой памяти на уровне блоков.

Флэш-память состоит из транзистора и плавающего затвора, в котором хранится электрический ток.

Как работает флэш-память? Архитектура флэш-памяти

включает в себя массив памяти с большим количеством ячеек флэш-памяти. Базовая ячейка флэш-памяти состоит из накопительного транзистора с управляющим затвором и плавающим затвором, изолированным от остальной части транзистора тонким диэлектрическим материалом или оксидным слоем. Плавающие затворы накапливают электрический заряд и контролируют поток электрического тока.

электрона добавляются или удаляются из плавающего затвора, чтобы изменить пороговое напряжение накопительного транзистора. Изменение напряжения влияет на то, запрограммирована ли ячейка как ноль или единица.

Ячейка флэш-памяти состоит из накопительного транзистора с управляющим затвором и плавающего затвора.

Процесс, называемый туннелированием Фаулера-Нордхейма, удаляет электроны из плавающего затвора. Либо туннелирование Фаулера-Нордхейма, либо явление, известное как -канальная инжекция горячих электронов , задерживает электроны в плавающем затворе.

При туннелировании Фаулера-Нордхейма данные стираются из-за сильного отрицательного заряда на управляющих воротах. Это выталкивает электроны в канал, где существует сильный положительный заряд.

Обратное происходит при использовании туннелирования Фаулера-Нордхейма для захвата электронов плавающим затвором. Электронам удается пробиться через тонкий оксидный слой к плавающему затвору в присутствии сильного электрического поля с сильным отрицательным зарядом на истоке и стоке ячейки и сильным положительным зарядом на управляющем затворе.

Процесс, называемый туннелированием Фаулера-Нордхейма, удаляет электроны из плавающего затвора.

Канальная инжекция горячих электронов, также известная как инжекция горячих носителей, позволяет электронам пробивать оксид затвора и изменять пороговое напряжение плавающего затвора. Этот прорыв происходит, когда электроны получают достаточное количество энергии от сильного тока в канале и притягивающего заряда на управляющем затворе.

Инжекция горячих электронов в канал позволяет электронам пробивать оксид затвора и изменять пороговое напряжение плавающего затвора.

Электроны захватываются плавающим затвором независимо от того, получает ли устройство, содержащее ячейку флэш-памяти, питание в результате электрической изоляции, создаваемой оксидным слоем. Эта характеристика позволяет флэш-памяти обеспечивать постоянное хранение.

NOR и флэш-память NAND

Существует два типа флэш-памяти: NOR и NAND.

Флэш-память

NOR и NAND различаются по архитектуре и конструктивным характеристикам. Флэш-память NOR не использует общих компонентов и может соединять отдельные ячейки памяти параллельно, обеспечивая произвольный доступ к данным.Ячейка флэш-памяти NAND более компактна и имеет меньше битовых линий, объединяя транзисторы с плавающим затвором для увеличения плотности хранения.

NAND лучше подходит для последовательного, а не случайного доступа к данным. Геометрия процесса флэш-памяти NAND была разработана в связи с тем, что планарная память NAND достигла своего практического предела масштабирования.

Флэш-память

NOR работает быстро при чтении данных, но обычно медленнее, чем NAND при стирании и записи. NOR flash программирует данные на уровне байтов. Флэш-память NAND программирует данные в страницах, которые больше байтов, но меньше блоков.Например, размер страницы может составлять 4 килобайта (КБ), а размер блока может составлять от 128 до 256 КБ или мегабайт. Флэш-память NAND потребляет меньше энергии, чем флэш-память NOR, для приложений, требующих интенсивной записи.

Флэш-память

NOR дороже в производстве, чем флэш-память NAND, и, как правило, используется в основном в потребительских и встроенных устройствах для загрузки и в приложениях только для чтения для хранения кода. Флэш-память NAND больше подходит для хранения данных в бытовых устройствах, корпоративных серверах и системах хранения данных из-за более низкой стоимости бита для хранения данных, большей плотности и более высоких скоростей программирования и стирания (P/E).

Устройства, такие как телефоны с камерами, могут использовать флэш-память NOR и NAND в дополнение к другим технологиям памяти для облегчения выполнения кода и хранения данных.

Форм-факторы флэш-памяти

Флэш-носитель основан на кремниевой подложке. Также известные как твердотельные устройства, они широко используются как в бытовой электронике, так и в корпоративных системах хранения данных.

Существуют три форм-фактора твердотельных накопителей, которые были определены Инициативой твердотельных накопителей:

  • SSD, которые устанавливаются в те же слоты, что и традиционные электромеханические жесткие диски (HDD).Твердотельные накопители имеют архитектуру, аналогичную интегральной схеме.
  • Твердотельные карты, которые размещаются на печатной плате и используют стандартный форм-фактор карты, например Peripheral Component Interconnect Express (PCIe).
  • Твердотельные модули, которые помещаются в модуль памяти с двухрядным расположением выводов (DIMM) или малогабаритный модуль памяти с двухрядным расположением выводов, использующий стандартный интерфейс жесткого диска, например Serial Advanced Technology Attachment (SATA).

Дополнительная подкатегория — гибридные жесткие диски, сочетающие в себе обычный HDD с флэш-модулем NAND.Гибридный жесткий диск обычно рассматривается как способ преодоления разрыва между вращающимся носителем и флэш-памятью.

Полностью флэш-память и гибридная флэш-память

Появление флэш-памяти способствовало росту популярности массивов на основе флэш-памяти. Эти системы содержат только твердотельные накопители, они предлагают преимущества в производительности и потенциально сниженные эксплуатационные расходы по сравнению со всеми дисковыми массивами хранения. Основное отличие, помимо носителя, заключается в базовой физической архитектуре, используемой для записи данных на устройство хранения.

Массивы на основе жестких дисков

имеют исполнительный рычаг, который позволяет записывать данные в определенный блок определенного сектора на диске. Системы хранения All-flash не требуют движущихся частей для записи данных. Запись выполняется непосредственно во флэш-память, а управление данными осуществляется с помощью специального программного обеспечения.

Гибридный массив флэш-памяти сочетает в себе диски и твердотельные накопители. Гибридные массивы используют твердотельные накопители в качестве кэша для ускорения доступа к часто запрашиваемым горячим данным, которые впоследствии перезаписываются на серверный диск. Многие предприятия обычно архивируют данные с диска по мере их устаревания, копируя их во внешнюю библиотеку на магнитных лентах.

Флэш плюс лента, также известная как флэп , описывает тип многоуровневого хранилища, в котором первичные данные во флэш-памяти одновременно записываются на линейную ленточную систему.

В дополнение к массивам флэш-памяти возможность вставки твердотельных накопителей в серверы на базе архитектуры x86 повысила популярность этой технологии. Такое расположение известно как флэш-память на стороне сервера и позволяет компаниям обойти привязку к поставщику, связанную с приобретением дорогих интегрированных массивов флэш-хранилищ.

Недостаток размещения флэш-памяти в сервере заключается в том, что клиентам необходимо самостоятельно создавать аппаратную систему, включая покупку и установку программного стека управления хранением у стороннего поставщика.

Плюсы и минусы флеш-памяти

Вот некоторые преимущества флэш-памяти:

  1. Флэш-память — наименее дорогая форма полупроводниковой памяти.
  2. В отличие от динамической оперативной памяти (DRAM) и статической RAM (SRAM), флэш-память энергонезависима, потребляет меньше энергии и может стираться большими блоками.
  3. Флэш-память
  4. NOR обеспечивает повышенную скорость случайного чтения, в то время как флэш-память NAND обеспечивает быстрое последовательное чтение и запись.
  5. Твердотельный накопитель с чипами флэш-памяти NAND обеспечивает значительно более высокую производительность, чем традиционные магнитные носители, такие как жесткие диски и ленты.
  6. Флэш-накопители
  7. также потребляют меньше энергии и выделяют меньше тепла, чем жесткие диски.
  8. Корпоративные системы хранения данных, оснащенные флэш-накопителями, обладают низкой задержкой, которая измеряется в микросекундах или миллисекундах.

Основными недостатками флэш-памяти являются механизм изнашивания и помехи между ячейками по мере уменьшения размеров матрицы. Биты могут выйти из строя при чрезмерно большом количестве циклов программирования/стирания, что в конечном итоге приведет к разрушению оксидного слоя, удерживающего электроны. Ухудшение может исказить установленное производителем пороговое значение, при котором заряд определяется как ноль или единица. Электроны могут уйти и застрять в оксидном изоляционном слое, что приведет к ошибкам и порче бита.

Неофициальные данные свидетельствуют о том, что флэш-накопители NAND изнашиваются не так сильно, как раньше опасались.Производители флэш-накопителей повысили долговечность и надежность за счет алгоритмов кода с исправлением ошибок, выравнивания износа и других технологий.

Кроме того, твердотельные накопители не изнашиваются без предупреждения. Обычно они предупреждают пользователей так же, как датчик может указывать на недостаточное давление в шинах.

Типы флэш-памяти NAND Производители флэш-памяти

NAND разработали различные типы памяти, подходящие для широкого спектра вариантов использования для хранения данных.В следующей таблице описаны различные типы флэш-памяти NAND.

Типы флэш-памяти NAND

Описание

Преимущества

Недостатки

Основное использование

Ячейка одноуровневая ( SLC )

Сохраняет один бит на ячейку и два уровня заряда.

Более высокая производительность, выносливость и надежность по сравнению с другими типами флэш-памяти NAND.

Более высокая стоимость по сравнению с другими типами флэш-памяти NAND.

Корпоративное хранилище, критически важные приложения.

Многоуровневая ячейка ( MLC )

Может хранить несколько битов на ячейку и несколько уровней заряда. Термин MLC соответствует двум битам на ячейку.

Дешевле, чем SLC и корпоративный MLC (eMLC), высокая плотность.

Меньшая выносливость, чем у SLC и eMLC, медленнее, чем у SLC.

Потребительские устройства, корпоративное хранилище.

Enterprise MLC ( eMLC )

Обычно хранит два бита на ячейку и несколько уровней заряда; использует специальные алгоритмы для увеличения продолжительности записи.

Меньше, чем флэш-память SLC, более долговечная, чем флэш-память MLC.

Дороже, чем MLC, медленнее, чем SLC.

Корпоративные приложения с высокой рабочей нагрузкой записи.

Трехуровневая ячейка ( TLC )

Сохраняет три бита на ячейку и несколько уровней заряда. Также упоминается как MLC-3, X3 или 3-битный MLC.

Более низкая стоимость и более высокая плотность по сравнению с MLC и SLC.

Более низкая производительность и долговечность, чем у MLC и SLC.

Потребительские приложения для хранения данных, такие как USB-накопители и карты флэш-памяти.

Вертикальный/ 3D NAND

Ячейки памяти укладываются друг на друга в трех измерениях по сравнению с традиционной планарной технологией NAND.

Более высокая плотность, более высокая производительность записи и более низкая стоимость за бит по сравнению с планарной NAND.

Более высокая стоимость изготовления, чем планарная NAND; сложность производства с использованием производственных планарных процессов NAND; потенциально более низкое сохранение данных.

Бытовые и корпоративные хранилища.

*Четырехуровневая ячейка (QLC)

Использует 64-уровневую архитектуру, которая считается следующей итерацией 3D NAND.По состоянию на ноябрь 2017 г. широко не доступен.

Хранит четыре бита данных в каждой ячейке NAND, потенциально повышая плотность SSD.

Большее количество битов данных на ячейку может повлиять на срок службы; повышенные затраты на инжиниринг.

Варианты использования в основном один раз написать, много прочитать (WORM).

Примечание. Износ флэш-памяти NAND является меньшей проблемой для флэш-памяти SLC, чем для менее дорогих типов флэш-памяти, таких как MLC и TLC, для которых производители могут устанавливать несколько пороговых значений для заряда.

В этом видеоролике рассматриваются некоторые основы 3D NAND применительно к NAND:

Типы флэш-памяти NOR

Два основных типа флэш-памяти NOR — параллельный и последовательный, также известный как последовательный периферийный интерфейс. Флэш-память NOR изначально была доступна только с параллельным интерфейсом. Parallel NOR предлагает высокую производительность, безопасность и дополнительные функции; его основное использование включает промышленные, автомобильные, сетевые и телекоммуникационные системы и оборудование.

ячейки NOR соединены параллельно для произвольного доступа. Конфигурация предназначена для произвольного чтения, связанного с инструкциями микропроцессора, и для выполнения кодов, используемых в портативных электронных устройствах, почти исключительно потребительского типа.

Флэш-память

Serial NOR имеет меньшее количество контактов и меньшую упаковку, что делает ее менее дорогой, чем параллельная NOR. Варианты использования последовательного NOR включают персональные и сверхтонкие компьютеры, серверы, жесткие диски, принтеры, цифровые камеры, модемы и маршрутизаторы.

Разбивка по поставщикам корпоративной флэш-памяти NAND

Основными производителями микросхем флэш-памяти NAND являются Intel Corp., Micron Technology Inc., Samsung Group, SanDisk Corp., которые в настоящее время принадлежат Western Digital Corp., а также SK Hynix Inc. и Toshiba Memory Corp.

Основные поставщики флэш-памяти NAND предлагают как корпоративные, так и потребительские флэш-памяти.

В 2016 г. возникла нехватка флэш-памяти NAND, что привело к сбоям на рынке. Дефицит привел к росту цен на твердотельные накопители и увеличению сроков поставки.Спрос превысил предложение в основном из-за резкого роста спроса со стороны производителей смартфонов. В 2018 году появились признаки того, что дефицит подходит к концу.

Другие потрясения влияют на рынок. В ноябре 2017 года ведущий поставщик флэш-памяти Toshiba согласился продать свое подразделение по производству микросхем группе корпоративных и институциональных инвесторов во главе с Bain Capital. Toshiba продала бизнес по производству флэш-памяти, чтобы покрыть финансовые убытки и избежать исключения из листинга Токийской фондовой биржи.

Продукция ведущих поставщиков NOR

Основными производителями флэш-памяти NOR являются Cypress Semiconductor Corp. — в результате приобретения Spansion Inc. — Macronix International Co. Ltd., Microchip Technology Inc., Micron Technology Inc. и Winbond Electronics Corp.

Cypress Semiconductor приобрела поставщика флэш-памяти NOR Spansion в 2015 году. Портфолио Cypress NOR включает продукты FL-L, FL-S, FS-S и FL1-K.

Macronix OctaFlash использует несколько банков, чтобы обеспечить доступ для записи в один банк и чтение из другого.Macronix MX25R Serial NOR — это версия с низким энергопотреблением, предназначенная для приложений Интернета вещей (IoT).

Microchip NOR имеет торговую марку Serial SPI Flash и Serial Quad I/O Flash. Параллельные продукты NOR поставщика включают семейства многоцелевых флэш-устройств и расширенных многоцелевых флэш-устройств.

Micron продает последовательную флэш-память NOR и параллельную флэш-память NOR, а также высокопроизводительную флэш-память Micron Xccela для автомобильных приложений и приложений IoT.

Линейка продуктов Winbond Serial NOR носит торговую марку SpiFlash Memories и включает модули памяти SpiFlash Multi-I/O W25X и W25Q.В 2017 году Winbond расширила свою линейку Secure Flash NOR для дополнительных целей, включая дизайн системы на кристалле для поддержки искусственного интеллекта, IoT и мобильных приложений.

Использование флэш-микроконтроллеров на базе процессоров ARM в качестве платформы для специализированных систем-на-чипе


Питер Бишоп, менеджер по коммуникациям,
Atmel Rousset

Abstract

Достижения в технологии производства позволяют производить системы на кристалле (SoC), содержащие сотни миллионов транзисторов, работающих на тактовой частоте гигагерца, на площади в несколько десятков квадратных миллиметров. .Однако эти же достижения усложняют экономичную разработку таких сложных однокристальных систем в приемлемые сроки и делают энергопотребление критической проблемой. Вопросы производительности и тестируемости становятся серьезной проблемой. SoC включают в себя программируемые элементы (микроконтроллеры (MCU) и цифровые сигнальные процессоры (DSP)), что делает их программное обеспечение таким же дорогим и трудоемким, как и их аппаратное обеспечение.

Использование флэш-микроконтроллера на основе стандартного отраслевого процессора ARM в качестве платформы представляет собой практический подход к разработке SoC, который решает все эти проблемы. Включение шага прототипирования FPGA (программируемая пользователем вентильная матрица) в процесс проектирования позволяет проводить параллельное тестирование аппаратного и программного обеспечения и увеличивает шансы получить правильный кремний с первого раза.

Общая картина: задачи системы на кристалле

В полупроводниковой промышленности существует консенсус в отношении того, что задачи, стоящие перед разработчиками систем на кристалле (SoC), — это проектирование на уровне электронных систем (ESL), проектирование для производства (DFM )/дизайн для тестирования (DFT), управление питанием, а также стоимость, время и риск, связанные с разработкой SoC.Вследствие этих проблем в последние годы произошло сокращение числа разрабатываемых систем на кристалле, что компенсируется увеличением доходов, полученных от успешной системы на кристалле. рынке встраиваемых микроконтроллеров и действительно заслужил звание «8051 этого поколения».

Проект уровня электронной системы

Система на кристалле почти всегда построена на основе одного или нескольких микроконтроллеров (MCU), ядра (ядер) цифровой обработки сигналов (DSP) или другого программируемого элемента. Соответственно, программное обеспечение, управляющее системой, должно разрабатываться одновременно с аппаратным обеспечением, а это, по меньшей мере, столь же дорого и требует много времени.

Предпринимаются многочисленные попытки разработать единый язык для описания всей SoC (как аппаратного, так и программного обеспечения) в начале цикла проектирования. Эти проектные проекты уровня электронной системы (ESL) в основном основаны на System Verilog или System C, но на сегодняшний день ни один из них не получил широкого распространения на практике. На самом деле большая часть аппаратного и программного обеспечения SoC разрабатывается одновременно, но отдельно.Это вызывает ряд проблем, возникающих из-за различий в культуре, обучении и методологии между разработчиками аппаратного и программного обеспечения. Комбинированное тестирование аппаратного и программного обеспечения происходит только на поздних стадиях цикла проектирования, а интерфейс аппаратного и программного обеспечения является основным источником ошибок. Кроме того, архитектурные ограничения или ошибки проектирования часто обнаруживаются в конце цикла.

Общепризнанно, что дизайн ESL имеет важное значение для сокращения времени выхода продукта на рынок для конечного пользователя.

Проектирование для производства

Рис. 1. Система-на-чипе со встроенным микроконтроллером и блоками памяти цикл проектирования.Он включает в себя «упреждение» проблем процесса в этапы проектирования, которые традиционно не зависели от процесса. Первая область, на которую нужно повлиять, — это синхронизация и идентификация критических путей прохождения сигнала. Физический синтез помог решить эту проблему, но не является панацеей.

Аналоговая характеристика представляет собой серьезную область трудностей, как и встроенная флэш-память. Компромиссы процесса, необходимые для встраивания флэш-памяти в основную технологию КМОП, приводят к проблемам долговечности/сохранения данных.Существует также практическая проблема времени, необходимого для программирования Flash, которое часто выполняется как неотъемлемая часть цикла тестирования. Оптимизация выхода обычно осуществляется путем усовершенствования процесса после последовательных итераций продукта, когда он запущен в серийное производство. Это может быть дорогостоящим, если приемлемый уровень выхода не достигается достаточно быстро.

Проект для тестирования

Проект для тестирования (DFT) хорошо понятен для цифровой логики, где вставка сканирования/автоматическая генерация тестового шаблона (ATPG) является нормой.Встроенная самопроверка (BIST) встроенной памяти сейчас менее распространена, чем десять лет назад. Соответственно, время, затрачиваемое на тестирование встроенной флэш-памяти, может быть серьезной проблемой, если не будут приняты соответствующие меры, такие как параллельное тестирование.

Управление электропитанием

Неиспользуемая электроэнергия истощает ресурсы за счет выработки тепла, что нежелательно. Проблема становится более серьезной с транзисторами меньшей геометрии, в частности, со статическим током утечки из-за уменьшенной толщины затвора. Более высокие тактовые частоты приводят к пропорциональному увеличению динамического энергопотребления.

В моде несколько подходов к управлению питанием, включая разделение устройства на отдельные участки напряжения и домены тактовой частоты. Они позволяют замедлять или останавливать часы в недоиспользуемых или неиспользуемых блоках (для снижения динамического энергопотребления), а также отключать питание неиспользуемых блоков (для снижения статического энергопотребления).

В крайних случаях вся SoC может быть переведена в режим пониженного энергопотребления, за исключением часов реального времени, но время, необходимое для выхода из режима пониженного энергопотребления, может быть проблемой.Важно с самого начала интегрировать методологию управления питанием для всего устройства в конструкцию SoC; это не может быть привито как запоздалая мысль.

Стоимость разработки, время и риск

Все это становится более значимым при уменьшении геометрии: затраты на маску растут (хотя они уменьшаются, как только процесс становится стабильным), время проектирования увеличивается пропорционально количеству транзисторов и увеличивается сложность проекта затрудняет обнаружение ошибок в процессе проектирования. Взаимодействие аппаратного и программного обеспечения является растущим источником ошибок, и их трудно выявить до поздних этапов проектирования. Задержка и перерасход средств, вызванные повторным вращением, могут убить продукт. Часто рыночное окно закрыто, особенно для потребительского товара, и неудовлетворенность клиентов может привести к отмене заказов или к худшему.

Флэш-микроконтроллер на базе ARM в качестве архитектурной платформы

Использование флэш-микроконтроллера на базе ARM в качестве архитектурной платформы для разработки пользовательской (специфичной для приложения) SoC — это практический подход, который решает все проблемы, изложенные в предыдущем разделы.Он использует преимущества доступных методологий проектирования и технологий изготовления, обеспечивая при этом более высокую производительность, чем предыдущий подход testchips-plus-FPGA для специализированной логики. Это обеспечивает параллельную разработку аппаратного и программного обеспечения с дополнительным преимуществом реализации программного обеспечения на встроенной флэш-памяти (в отличие от ПЗУ), что облегчает исправление ошибок и обновления для соответствия меняющимся стандартам интерфейса. Цикл проектирования короткий (месяцы вместо лет для SoC, разработанного с нуля), а широкое повторное использование IP-блоков делает его экономически выгодным.Это подход, основанный на многолетнем опыте и множестве успешных продуктов SoC.

Платформа Flash MCU на базе ARM

Архитектура платформы Flash MCU на базе ARM

Универсальная архитектура платформы MCU на базе ARM (рис. 2) характеризуется высоким уровнем системной интеграции. Он включает ядро ​​процессора ARM вместе с флэш-памятью для хранения программ и справочных данных, а также рабочее пространство SRAM. Интерфейс внешней шины (EBI) обеспечивает высокоскоростной доступ к внешней памяти или устройствам с отображением памяти, таким как FPGA, для эмуляции пользовательской логики.

Системный контроллер включает в себя ряд элементов, которые до недавнего времени были внешними, в частности генератор/PLL, регулятор напряжения, контроллер сброса, детектор пониженного напряжения и сброс при включении питания. Усовершенствованный контроллер прерываний (AIC) уменьшает задержку прерывания, повышая производительность системы в реальном времени. Системный контроллер также включает в себя контроллер управления питанием, который является центральным источником синхронизации для всего устройства.

Внешняя связь осуществляется через стандартные интерфейсы, такие как USB, SPI и т. д.Скорость передачи данных увеличивается за счет каналов периферийного контроллера прямого доступа к памяти (PDC), которые напрямую связывают каждый внешний интерфейс с памятью, что позволяет осуществлять передачу данных без вмешательства процессора.

Рис. 2. Архитектура платформы Flash MCU на базе ARM

Многоканальный АЦП позволяет напрямую подключать датчики и другие аналоговые устройства. Параллельный контроллер ввода/вывода мультиплексирует ввод/вывод интерфейсов связи с несколькими линиями ввода/вывода общего назначения, что значительно сокращает количество выводов устройства.

Модульные IP-блоки, совместимые с AMBA

Все блоки интеллектуальной собственности (IP), составляющие SoC на базе ARM, разрабатываются отдельно, проверяются и документируются. Они предназначены для повторного использования как внутри компании, так и за ее пределами квалифицированными субподрядчиками. Они охарактеризованы на кристалле, в частности определены характеристики блоков аналоговой и флэш-памяти. Драйверы программных устройств, операционные системы реального времени и стеки протоколов связи разрабатываются и тестируются параллельно.Ядро ARM, отвечающее отраслевым стандартам, облегчает разработку программного обеспечения за счет повторного использования устаревшего кода и наличия широкого спектра инструментов разработки программного обеспечения, портированных операционных систем и поддержки.

Синтезированная, изготовленная и охарактеризованная платформа

Платформа Flash MCU на базе ARM создается путем интеграции квалифицированных IP-блоков вокруг ядра ARM. Платформа синтезирована, достигнуто замыкание по времени, обработаны критические пути и оптимизировано энергопотребление путем изготовления устройства и его продажи в качестве стандартного продукта с последовательными итерациями кремния для повышения производительности. Устройство проверено в нескольких приложениях различными клиентами.

Преобразование в ориентированную на приложение систему-на-чипе

Универсальная платформа Flash MCU на базе ARM преобразуется в специализированное устройство (рис. 3) путем добавления или удаления коммуникационных интерфейсов и создания логики, специфичной для приложения блокировать. EBI или один из высокоскоростных последовательных интерфейсов используется для подключения внешних устройств с отображением памяти. Пропускная способность увеличена за счет возможности прямого доступа к памяти, которая снижает потери производительности процессора до нескольких процентов при передаче больших объемов данных.SoC для конкретного приложения эмулируется на платформе разработки на основе FPGA перед изготовлением, как описано в следующем разделе.


Рис. 3. Процесс проектирования SoC для конкретного приложения, производный от

SoC на основе архитектуры и платформ эмуляции

Процесс проектирования System-on-Chip, показанный на рис. 4, основан на параллельной разработке аппаратного и программного обеспечения. Его отправной точкой является архитектурная платформа, предварительно созданная из общих аппаратных и программных IP-блоков, которые уже были охарактеризованы и отлажены, как описано в предыдущих разделах.Ключевыми шагами являются разделение аппаратного и программного обеспечения системы для конкретного приложения с использованием существующих аппаратных/программных IP-блоков в качестве ориентира. Затем следует разработка любых необходимых аппаратных и программных IP-блоков для конкретных приложений. Они интегрируются вместе с операционной системой, если это необходимо, в архитектурную платформу и связанное с ней программное обеспечение. После синтеза и моделирования аппаратное и программное обеспечение системы для конкретного приложения эмулируется на платформе эмуляции на основе ПЛИС.

Рисунок 4. Процесс проектирования SoC

Архитектура платформы эмуляции

Центральным элементом платформы эмуляции (рис. -стандартные коммуникационные интерфейсы. Встроенный тактовый генератор обеспечивает все необходимые источники синхронизации. Имеются соединения с мезонинными платами, на которых размещена архитектурная платформа (платформы), а также встроенная и внешняя память.Также имеются соединения с пользовательскими интерфейсными платами и обширный набор пользовательских переключателей, дисплеев, светодиодов и кнопок. Имеются интерфейсы (включая PHY) для USB, Ethernet, RS232 и других стандартов, а также внешние пользовательские контакты ввода-вывода.


Рис. 5: Архитектура платформы эмуляции


Рис. 6: Платформа эмуляции Atmel Mistral

Основные этапы эмуляции стандартные коммуникационные интерфейсы на FPGA.Платформы архитектуры доступны на сменных мезонинных платах (рис. 7). Эти и любые пользовательские интерфейсные платы подключаются к платформе эмуляции, которая, в свою очередь, связана с ПК для разработки. Рис. 7. Мезонинная плата для платформы архитектуры на базе ядра ARM и отлажена с использованием стандартной системы разработки. Хотя плата эмуляции обычно не может достичь полной рабочей скорости целевого устройства, она на несколько порядков быстрее, чем симуляция, и позволяет исследовать функциональное поведение, а не только моделирующие тестовые шаблоны.

При обнаружении каких-либо ошибок они исправляются либо путем модификации Verilog/VHDL-кода IP-блоков, либо путем модификации драйверов устройств или программного обеспечения более высокого уровня. Последовательность проверки/исправления продолжается до тех пор, пока все ошибки не будут выявлены и устранены.

Преимущества эмуляции

Эмуляция дает множество преимуществ. Наиболее важным является возможность использовать программное обеспечение для управления оборудованием на скорости, близкой к рабочей. Это тестирует поведение в реальном времени, такое как обработка прерываний, которую почти невозможно смоделировать. Впервые в цикле проектирования аппаратно-программный интерфейс может быть тщательно протестирован.

Ошибки исправляются и повторно тестируются быстро и с минимальными затратами. Нет масок, которые можно было бы переделать, или повторных вращений для исправления прототипов.Экономия времени и средств значительна.

Наконец, отлаженная система эмуляции соответствует изготовленным устройствам. Его можно использовать в качестве отправной точки для обновленных версий системы на кристалле (как аппаратных, так и программных).

Платформенный дизайн SoC: как он оценивается?

Насколько использование микроконтроллерной платформы Flash на базе ARM соответствует задачам разработки SoC, перечисленным в начале этой статьи?

Проектирование на уровне электронной системы

Проектирование SoC на основе платформы не использует единый язык проектирования на уровне электронной системы, но решает ключевую проблему разделения аппаратного и программного обеспечения.Использование предварительно квалифицированных аппаратных и программных IP-блоков направляет и упрощает разделение проекта, а архитектурная платформа обеспечивает отправную точку на уровне системы. Эмуляция всей аппаратно-программной системы относительно рано в цикле проектирования решает многие проблемы проектирования ESL еще до изготовления. Использование флэш-памяти гарантирует, что модификации программного обеспечения могут быть включены на более поздних этапах цикла проектирования или даже в качестве обновлений на месте.

Разработка для производства/тестирования

Платформа архитектуры реализована на кремнии в качестве стандартного продукта, а это означает, что вопросы синхронизации и критического пути уже решены.Аналоговые и встроенные флэш-памяти уже достигнуты. Повышение производительности за счет оптимизации процесса уже достигнуто, или данные о производительности с платформы могут учитываться при изготовлении устройства для конкретного приложения. Основные вопросы тестирования, в основном касающиеся аналоговой и встроенной флэш-памяти, уже решены в тестовом режиме для архитектурной платформы. Все эти факторы повышают вероятность того, что SoC, предназначенная для конкретного приложения, будет произведена с первого раза с приемлемым выходом, начиная с первой производственной партии.

Управление питанием

Принципы управления питанием, включая интегрированный контроллер управления питанием, включены в архитектурную платформу. Все IP-блоки предназначены для совместимости с контроллером управления питанием, и эти принципы проектирования легко распространяются на логику конкретного приложения и любые выделенные интерфейсы. К ним относятся предоставление областей тактовой частоты и напряжения, а также установление режимов ожидания или отключения питания, где это необходимо.В результате получается специализированное устройство с оптимальным энергопотреблением во всех режимах использования.

Стоимость проектирования, время и риски

Все они значительно сокращаются за счет использования уже готовой архитектурной платформы с повторным использованием квалифицированных аппаратных и программных IP-блоков. Этап эмуляции позволяет тщательно отладить пользовательские аппаратные и программные драйверы с минимальными затратами. Встроенная флэш-память позволяет обновлять программное обеспечение с минимальными затратами даже в полевых условиях.

Заключение

Микроконтроллер Flash на базе ARM может служить архитектурной платформой для разработки специализированной системы на кристалле. Поток проектирования, основанный на его использовании, решает все проблемы проектирования систем на кристалле, способствуя снижению стоимости разработки и рисков, а также увеличивая шансы на правильный первый кремний с приемлемым выходом.

%PDF-1.4 % 133 0 объект > эндообъект внешняя ссылка 133 407 0000000016 00000 н 0000009864 00000 н 0000009966 00000 н 0000010478 00000 н 0000010624 00000 н 0000011238 00000 н 0000011717 00000 н 0000011744 00000 н 0000012391 00000 н 0000012924 00000 н 0000013542 00000 н 0000013626 00000 н 0000013740 00000 н 0000013852 00000 н 0000014167 00000 н 0000014481 00000 н 0000015187 00000 н 0000015617 00000 н 0000016015 00000 н 0000016455 00000 н 0000016848 00000 н 0000017260 00000 н 0000017751 00000 н 0000018205 00000 н 0000022950 00000 н 0000023031 00000 н 0000023326 00000 н 0000023396 00000 н 0000023910 00000 н 0000028708 00000 н 0000029412 00000 н 0000029669 00000 н 0000029752 00000 н 0000029807 00000 н 0000029883 00000 н 0000029912 00000 н 0000035288 00000 н 0000040664 00000 н 0000044543 00000 н 0000076027 00000 н 0000143970 00000 н 0000210112 00000 н 0000277970 00000 н 0000322414 00000 н 00003

00000 н 0000431977 00000 н 0000499920 00000 н 0000541157 00000 н 0000542979 00000 н 0000544801 00000 н 0000582648 00000 н 0000582702 00000 н 0000582751 00000 н 0000584188 00000 н 0000658938 00000 н 0000659890 00000 н 0000659965 00000 н 0000660220 00000 н 0000660303 00000 н 0000660358 00000 н 0000660436 00000 н 0000660547 00000 н 0000660657 00000 н 0000660780 00000 н 0000660959 00000 н 0000668513 00000 н 0000668588 00000 н 0000668845 00000 н 0000668928 00000 н 0000668983 00000 н 0000669060 00000 н 0000669183 00000 н 0000669290 00000 н 0000669385 00000 н 0000669533 00000 н 0000669726 00000 н 0000670856 00000 н 0000670931 00000 н 0000671058 00000 н 0000671178 00000 н 0000671299 00000 н 0000671491 00000 н 0000676616 00000 н 0000676691 00000 н 0000676720 00000 н 0000676863 00000 н 0000676992 00000 н 0000677109 00000 н 0000677255 00000 н 0000677444 00000 н 0000678170 00000 н 0000678245 00000 н 0000678320 00000 н 0000678446 00000 н 0000678543 00000 н 0000678735 00000 н 0000684216 00000 н 0000684340 00000 н 0000684660 00000 н 0000684735 00000 н 0000684856 00000 н 0000684986 00000 н 0000685121 00000 н 0000685269 00000 н 0000685456 00000 н 0000686155 00000 н 0000686230 00000 н 0000686361 00000 н 0000686495 00000 н 0000686618 00000 н 0000686797 00000 н 0000687254 00000 н 0000687329 00000 н 0000687453 00000 н 0000687579 00000 н 0000687700 00000 н 0000687879 00000 н 0000693188 00000 н 0000693263 00000 н 0000693382 00000 н 0000693479 00000 н 0000693665 00000 н 0000694271 00000 н 0000694346 00000 н 0000694470 00000 н 0000694591 00000 н 0000694770 00000 н 0000700079 00000 н 0000700154 00000 н 0000700279 00000 н 0000700401 00000 н 0000700516 00000 н 0000700664 00000 н 0000700843 00000 н 0000701266 00000 н 0000701340 00000 н 0000701584 00000 н 0000701667 00000 н 0000701722 00000 н 0000701791 00000 н 0000701898 00000 н 0000701995 00000 н 0000702183 00000 н 0000705389 00000 н 0000705464 00000 н 0000705718 00000 н 0000705801 00000 н 0000705856 00000 н 0000705931 00000 н 0000706032 00000 н 0000706142 00000 н 0000706253 00000 н 0000706400 00000 н 0000706588 00000 н 0000707069 00000 н 0000707143 00000 н 0000707331 00000 н 0000710532 00000 н 0000710607 00000 н 0000710732 00000 н 0000710998 00000 н 0000711073 00000 н 0000711148 00000 н 0000711393 00000 н 0000711476 00000 н 0000711531 00000 н 0000711601 00000 н 0000711708 00000 н 0000711805 00000 н 0000711997 00000 н 0000715485 00000 н 0000715807 00000 н 0000715882 00000 н 0000715998 00000 н 0000716113 00000 н 0000716234 00000 н 0000716418 00000 н 0000716919 00000 н 0000716994 00000 н 0000717069 00000 н 0000717166 00000 н 0000717263 00000 н 0000717455 00000 н 0000720943 00000 н 0000721265 00000 н 0000721340 00000 н 0000721466 00000 н 0000721615 00000 н 0000721736 00000 н 0000721926 00000 н 0000724316 00000 н 0000724391 00000 н 0000724492 00000 н 0000724598 00000 н 0000724721 00000 н 0000724910 00000 н 0000727183 00000 н 0000727258 00000 н 0000727369 00000 н 0000727485 00000 н 0000727610 00000 н 0000727756 00000 н 0000727945 00000 н 0000732004 00000 н 0000732079 00000 н 0000732194 00000 н 0000732317 00000 н 0000732510 00000 н 0000736141 00000 н 0000745969 00000 н 0000746072 00000 н 0000746179 00000 н 0000746282 00000 н 0000746385 00000 н 0000746558 00000 н 0000746746 00000 н 0000754887 00000 н 0000762089 00000 н 0000771761 00000 н 0000781752 00000 н 0000788015 00000 н 0000845494 00000 н 0000882608 00000 н 0000882637 00000 н 0000882712 00000 н 0000882786 00000 н 0000883105 00000 н 0000883219 00000 н 0000883582 00000 н 0000883605 00000 н 0000883671 00000 н 0000883798 00000 н 0000883941 00000 н 0000884016 00000 н 0000884090 00000 н 0000884165 00000 н 0000888403 00000 н 0000888546 00000 н 0000888621 00000 н 0000888695 00000 н 0000889023 00000 н 0000889385 00000 н 0000889408 00000 н 0000889485 00000 н 0000889602 00000 н 00008 00000 н 00008

00000 н 00008 00000 н 00008

00000 н 00008

00000 н 0000891316 00000 н 0000891391 00000 н 0000891754 00000 н 0000891777 00000 н 0000891854 00000 н 0000891981 00000 н 0000892124 00000 н 0000892199 00000 н 0000892273 00000 н 0000892348 00000 н 0000896860 00000 н 0000897003 00000 н 0000897078 00000 н 0000897152 00000 н 0000897460 00000 н 0000897818 00000 н 0000897841 00000 н 0000897918 00000 н 0000898035 00000 н 0000898317 00000 н 0000898654 00000 н 0000898677 00000 н 0000898754 00000 н 0000898881 00000 н 0000898956 00000 н 0000899314 00000 н 0000899337 00000 н 0000899403 00000 н 0000899520 00000 н 0000899663 00000 н 0000899738 00000 н 0000899812 00000 н 0000899887 00000 н 0000

1 00000 н 0000

1 00000 н 0000

6 00000 н 0000

9 00000 н 0000

6 00000 н 0000

3 00000 н 0000

7 00000 н 0000

0 00000 н 00005 00000 н 00009 00000 н 00001 00000 н 0000

4 00000 н 00007 00000 н 00004 00000 н 00001 00000 н 00004 00000 н 00009 00000 н 00003 00000 н 00008 00000 н 0000
3 00000 н 0000

8 00000 н 0000911801 00000 н 0000911824 00000 н 0000911890 00000 н 0000912007 00000 н 0000912329 00000 н 0000912667 00000 н 0000912690 00000 н 0000912767 00000 н 0000912884 00000 н 0000912959 00000 н 0000913242 00000 н 0000913265 00000 н 0000913331 00000 н 0000913458 00000 н 0000913574 00000 н 0000913649 00000 н 0000913723 00000 н 0000914038 00000 н 0000914375 00000 н 0000914398 00000 н 0000914464 00000 н 0000914591 00000 н 0000914666 00000 н 0000914740 00000 н 0000914814 00000 н 0000917412 00000 н 0000917555 00000 н 0000917630 00000 н 0000917704 00000 н 0000918019 00000 н 0000918356 00000 н 0000918379 00000 н 0000918456 00000 н 0000918573 00000 н 0000918856 00000 н 0000919139 00000 н 0000919162 00000 н 0000919228 00000 н 0000919345 00000 н 0000919488 00000 н 0000919563 00000 н 0000919900 00000 н 0000919923 00000 н 0000920000 00000 н 0000920127 00000 н 0000920202 00000 н 0000928551 00000 н 0000928880 00000 н 0000928915 00000 н 0000928981 00000 н 0000929097 00000 н 0000929172 00000 н 0000929246 00000 н 0000929564 00000 н 0000929925 00000 н 0000929948 00000 н 0000930014 00000 н 0000930131 00000 н 0000930274 00000 н 0000930349 00000 н 0000930423 00000 н 0000930498 00000 н 0000933414 00000 н 0000933557 00000 н 0000933632 00000 н 0000933993 00000 н 0000934016 00000 н 0000934093 00000 н 0000934210 00000 н 0000934493 00000 н 0000934830 00000 н 0000934853 00000 н 0000934930 00000 н 0000935047 00000 н 0000935171 00000 н 0000935314 00000 н 0000935389 00000 н 0000935463 00000 н 0000935538 ​​00000 н 0000937511 00000 н 0000937654 00000 н 0000937729 00000 н 0000937803 00000 н 0000938128 00000 н 0000938464 00000 н 0000938487 00000 н 0000938564 00000 н 0000938681 00000 н 0000938964 00000 н 0000939300 00000 н 0000939323 00000 н 0000939400 00000 н 0000939517 00000 н 0000939660 00000 н 0000939735 00000 н 0000940071 00000 н 0000940094 00000 н 0000940171 00000 н 0000940298 00000 н 0000940422 00000 н 0000940546 00000 н 0000944447 00000 н 0000008436 00000 н трейлер ]>> startxref 0 %%EOF 539 0 объект >поток xڜTmLSg>{mo-Ђxe3CN]ůRQkV7g^ì”ʘ:˂fCX-fmԹisK_ۏ&=

404 | Вектор

Настройки вашего региона/языка отличаются от запрашиваемого сайта. Вы хотите изменить предложенный регион/язык?

Настройки вашего региона/языка отличаются от запрашиваемого сайта. Вы хотите изменить предложенный регион/язык?

Настройки вашего региона/языка отличаются от запрашиваемого сайта. Вы хотите изменить предложенный регион/язык?

Настройки вашего региона/языка отличаются от запрашиваемого сайта. Вы хотите изменить предложенный регион/язык?

Настройки вашего региона/языка отличаются от запрашиваемого сайта.Вы хотите изменить предложенный регион/язык?

Настройки вашего региона/языка отличаются от запрашиваемого сайта. Вы хотите изменить предложенный регион/язык?

Настройки вашего региона/языка отличаются от запрашиваемого сайта. Вы хотите изменить предложенный регион/язык?

Настройки вашего региона/языка отличаются от запрашиваемого сайта. Вы хотите изменить предложенный регион/язык?

Настройки вашего региона/языка отличаются от запрашиваемого сайта. Вы хотите изменить предложенный регион/язык?

Настройки вашего региона/языка отличаются от запрашиваемого сайта. Вы хотите изменить предложенный регион/язык?

Настройки вашего региона/языка отличаются от запрашиваемого сайта. Вы хотите изменить предложенный регион/язык?

Настройки вашего региона/языка отличаются от запрашиваемого сайта.Вы хотите изменить предложенный регион/язык?

Настройки вашего региона/языка отличаются от запрашиваемого сайта. Вы хотите изменить предложенный регион/язык?

Настройки вашего региона/языка отличаются от запрашиваемого сайта. Вы хотите изменить предложенный регион/язык?

Переключиться на международный/английский Выбрать другой регион/язык Переключиться на Германию/немецкий Выбрать другой регион/язык Переключиться на Китай/Китайский Выбрать другой регион/язык Переключиться на Корею/корейский Выбрать другой регион/язык Переключиться на Японию/японский Выбрать другой регион/язык Переключиться на Австрию/Английский Выбрать другой регион/язык Переключиться на Индию/английский Выбрать другой регион/язык Переключиться на Швецию/Английский Выбрать другой регион/язык Переключиться на Великобританию/английский Выбрать другой регион/язык Переключиться на США/английский Выбрать другой регион/язык Переключиться на Францию/Францию Выбрать другой регион/язык Переключиться на Австрию/немецкий Выбрать другой регион/язык Переключиться на Италию/итальянский Выбрать другой регион/язык Переключиться на бразильский/португальский Выбрать другой регион/язык Переключиться на Испанию/Испанский Выбрать другой регион/язык

Panasonic P65 Flash – CPU

905 68

ETON P11

905 68

MediaMOM PhengePad Duo X525U

Ritzviva Note 1 LTE

1300 МГц (Mediatek MT6735, сердечники: 4)

Coolpad Note 3 Lite

1300 МГц (MediaTek MT6735, ядра: 4)

Uhans Note 4

1300 МГц (Mediatek MT6737, ядра: 4)

Xiaolajiao Note4x

1300 МГц (Mediatek MT6737, сердечники: 4)

TCL ONO

1300 МГц (Mediatek MT6735, сердечники: 4)

Centric P1

1300 МГц (MediaTek MT6737, сердечники: 4)

Comio P1

1300 МГц (MediaTek MT6737, ядра: 4 )

Leagoo P1 Pro

1300 МГц (Mediatek MT6737, сердечники: 4)

Centric P1 +

1300 МГц (MediaTek MT6737, сердечники: 4)
1300 МГц (Mediatek MT6732M, ядра: 4)

1300 МГц (MediaTek MT6732M, сердечники: 4)

Eton P301

1300 МГц ( Mediatek mt6732, ядра: 4)

9013

9013

1300 МГц (Mediatek MT6732, сердечники: 4)

Doopro P5 Pro

1300 МГц (MediaTek MT6737, сердечники: 4)

TCL P500M

1300 МГц (Mediatek MT6732M, сердечники: 4)

TCL P550U

1300 МГц (MediaTek MT6732M, сердечники: 4)

Panasonic P65 Flash

1300 МГц (Mediatek, сердечники: 4)

Gionee P7

1300 МГц (Mediatek MT6737, ядра: 4)

AllView P7 Pro

1300 МГц (MediaTek MT6735, сердечники: 4) 9 0133

Jeasung P8

1300 МГц (Mediatek MT6737, сердечники: 4)

AllView P8 Emagic

1300 МГц (MediaTek MT6735, сердечники: 4)

AllView P8 Energy

1300 МГц (Mediatek MT6735, сердечники: 4)

Teclast P80H

9013

1300 МГц (Mediatek MT8166, ядра: 4)

Ulefone Paris X

1300 МГц (MediaTek MT6735, сердечники : 4)

Цвета мобильных Pearl Black K3

1300 МГц (Mediatek MT6735A, сердечники: 4)

Lenovo Phab 2

1300 МГц (MediaTek MT8735, сердечники: 4)

ARK PHANTOM 1

1300133 1300 МГц (Mediatek MT6737, сердечники: 4)

Verykool Phantom SL5050

1300 МГц (MediaTek MT6737, сердечники: 4)
1300 МГц (Mediatek MT6735, ядра: 4)

OKWU PI

1300 МГц (Mediatek MT6735, сердечники: 4)

Gionee Pioneer P5L (2016)

1300133 1300 МГц (Mediatek MT6735, сердечники: 4)

Lava Pixel V2

1300 МГц (Mediatek MT6735, сердечники: 4)

Highscreen Power Five

1300 МГц (MediaTek MT6735 , ядер: 4)

Основы флэш-памяти и ее взаимодействие с процессором

Дата: 30-12-16

Основы флэш-памяти и ее взаимодействие с процессором:

Введение:

Флэш-память или флэш-ОЗУ — это тип энергонезависимого полупроводникового запоминающего устройства, в котором сохраненные данные существуют даже тогда, когда запоминающее устройство не питается от электричества. Это улучшенная версия электрически стираемой программируемой постоянной памяти (EEPROM). Разница между флэш-памятью и EEPROM заключается в том, что EEPROM стирает и перезаписывает свое содержимое по одному байту за раз или, другими словами, на уровне байтов. В то время как флэш-память стирает или записывает свои данные целыми блоками, что делает ее очень быстрой памятью по сравнению с EEPROM. Флэш-память не может заменить DRAM и SRAM, потому что скорость, с которой DRAM/SRAM могут обращаться к данным, а также их способность адресации на уровне байтов, не может сравниться с Flash.

Флэш-память также называют твердотельным запоминающим устройством (SSD) из-за отсутствия движущихся частей по сравнению с традиционным жестким диском компьютера.

Типы флэш-памяти:

Существует два основных типа флэш-памяти: NOR Flash и NAND Flash. Intel стала первой компанией, которая в 1988 году представила коммерческий (типа NOR) чип флэш-памяти, а Toshiba выпустила первую в мире флэш-память NAND в 1989 году.

NOR-flash медленнее в операциях стирания и записи по сравнению с NAND-flash.Это означает, что флэш-память NAND быстрее стирает и записывает. Более того, NAND имеет меньшие блоки стирания. Поэтому требуется меньше стираний. NOR-flash может считывать данные немного быстрее, чем NAND.

NOR предлагает полную адресную шину и шину данных для произвольного доступа к любой ячейке памяти (адресуемой для каждого байта). Это делает его подходящей заменой для старых чипов ROM BIOS/прошивки, которые редко нуждаются в обновлении. Его ресурс составляет от 10 000 до 1 000 000 циклов стирания. NOR отлично подходит для хранения кода во встроенных системах.Большинство современных микроконтроллеров имеют встроенную флэш-память.

NAND-flash занимает меньшую площадь чипа на ячейку. Этот производитель NAND доступен с большей плотностью хранения и с более низкими затратами на бит, чем NOR-flash. Кроме того, его долговечность в десять раз выше, чем у NOR-flash. NAND больше подходит для хранения больших файлов, включая видео и аудио. Флэш-накопители USB, SD-карты и карты MMC относятся к типу NAND.

Флэш-память NAND

не обеспечивает внешней адресной шины с произвольным доступом, поэтому данные должны считываться на поблочной основе (также известной как доступ к странице), где каждый блок содержит от сотен до тысяч битов, что напоминает своего рода последовательную доступ к данным.Это одна из основных причин, по которой NAND-flash не подходит для замены ПЗУ, ведь большинству микропроцессоров и микроконтроллеров требуется произвольный доступ на уровне байтов.

Операция записи на флэш-устройство любого типа может выполняться только на пустом или стертом устройстве. Поэтому в большинстве случаев операции записи должна предшествовать операция стирания. Операция стирания довольно проста в случае устройств NAND-flash. Но для NOR-flash обязательно, чтобы все байты в целевом блоке были записаны нулями, прежде чем их можно будет стереть.

Размер стираемого блока в NOR-flash составляет от 64 до 128 Кбайт. Здесь операция записи/стирания может занять до 5 с. А вот NAND-flash имеет блоки стирания размером от 8 до 32 Кбайт. Таким образом, очевидно, что NAND выполняет ту же операцию за меньшее время.

Интерфейс

INOR-флэш-памяти очень похож на интерфейс памяти SRAM, который имеет достаточно адресных контактов для отображения всего носителя, что обеспечивает легкий доступ к каждому байту, содержащемуся в нем, тогда как NAND-флеш-память используется для последовательного доступа к сложному отображению ввода-вывода. интерфейс.Здесь одни и те же контакты используются для управления, адреса и данных.

В традиционных одноуровневых флеш-устройствах каждая ячейка хранит только один бит информации. Позже многие разработчики разработали новую форму флэш-памяти, известную как многоуровневая флэш-память, которая может хранить/удерживать более одного бита, а не один бит в каждой ячейке памяти, тем самым удваивая емкость памяти.

Структура ячеек флэш-памяти:

Флэш-память хранит данные в массиве ячеек памяти. Ячейки памяти изготовлены из МОП-транзисторов с плавающим затвором (известных как FGMOS). Эти FG MOSFET (или сокращенно FGMOS) способны сохранять электрический заряд в течение длительного периода времени (от 2 до 10 лет) даже без подключения к источнику питания.

FGMOS на самом деле изготавливается путем электрической изоляции затвора стандартного МОП-транзистора, чтобы к этому затвору не было резистивных соединений (плавающий затвор) (см. рис. 1). Вторичный затвор (более одного в случае транзистора с несколькими затворами), известный как управляющий затвор, затем осаждается над этим плавающим затвором и электрически изолируется от него с помощью изолятора, такого как SiO2.Между новыми входами (управляющими затворами) и плавающим затвором будет только емкостная связь, потому что плавающий затвор полностью окружен материалом с высоким сопротивлением (SiO2). Таким образом, с точки зрения рабочей точки постоянного тока FG является плавающим узлом.

 

                             Рис. 1

Каждая ячейка (FGMOS) NOR-flash-памяти напоминает стандартный MOSFET, за исключением того, что FGMOS имеет два затвора вместо одного (см. рис. 2).Сверху находится управляющий затвор, как в обычных МОП-транзисторах. Под этим управляющим затвором находится новый затвор, называемый плавающим затвором, который со всех сторон изолирован оксидным слоем (SiO2). Плавающий затвор расположен между управляющим затвором и каналом MOSFET. Поскольку плавающий затвор электрически изолирован слоем оксида, любые размещенные на нем электроны задерживаются там и при нормальных условиях не будут разряжаться в течение многих лет.

 


   

Рис.2

 

Названия NOR-flash и NAND-flash произошли от структуры, используемой для соединений между ячейками памяти (см. рис. 3).

Ячейки в NOR-flash подключены параллельно битовым линиям, так что каждую ячейку можно читать/записывать/стирать отдельно. Это параллельное соединение ячеек очень похоже на параллельное соединение транзисторов в затворе CMOS NOR, поэтому оно и получило название NOR flash. В NAND-flash ячейки соединены последовательно, напоминая вентиль NAND, отсюда и название. Последовательное соединение предотвращает индивидуальное программирование ячеек. Эти ячейки должны быть прочитаны последовательно.

 


Рис. 3

Типичный флэш-массив имеет сетку столбцов и рядов ячеек FGMOS-транзисторов, как показано на рис. 4.Словесная линия WL представляет собой горизонтальную линию, а битовая линия BL представляет собой вертикальную линию (показана на рис. 4). Управляющие вентили ячеек FGMOS подключены к словесной линии WL. Декодированный адрес фактически применяется к этой строке слов. Битовая линия BL соединяет стоки ячеек FGMOS вместе и представляет собой шину данных. Source-line SL соединяет источники FGMOS с общей землей. Комбинации напряжений, применяемые к WL и BL, определяют операцию, будь то чтение, стирание или программирование.

Рис. 4

Принцип работы:

Flash сохраняет данные, удаляя или помещая электроны на плавающий затвор (см. рис. 5).Заряд на плавающем затворе влияет на порог элемента памяти. Когда электроны присутствуют на плавающем затворе, через транзистор не протекает ток, что указывает на логический ноль. Когда электроны удаляются из плавающего затвора, транзистор начинает открываться, указывая на логическую единицу. Это достигается за счет подачи напряжения между управляющим затвором и истоком или стоком.

Рис. 5

Fowler-Nordheim (F-N) Туннелирование и инжекция горячих электронов являются одними из процессов, с помощью которых эти операции выполняются во флэш-ячейке.

Туннелирование — это процесс, при котором электроны переносятся через барьер. Здесь барьер рассматривается как толщина изоляционного слоя SiO2, окружающего плавающий затвор. О процессе туннелирования в оксиде впервые сообщили Фаулер и Нордхейм, отсюда и название.

Давайте теперь попробуем узнать, как работает NOR-флеш-ячейка. В программе NOR-flash (или в память) запись осуществляется за счет «горячей инжекции электронов», а стирание за счет квантового туннелирования.

1. Операция стирания:

Необработанное состояние ячеек флэш-памяти (одноуровневая флэш-ячейка НЕ-ИЛИ) будет состоять из битов 1 (в состоянии по умолчанию), поскольку плавающие затворы не несут отрицательных зарядов.Стирание ячейки флэш-памяти (сброс в логическую 1) достигается приложением напряжения к истоку и управляющему затвору (словной линии). Напряжение может находиться в диапазоне от -9В до -12В. А также подать около 6В на источник. Электроны в плавающем затворе отрываются и переносятся к источнику за счет квантового туннелирования (туннельного тока). Другими словами, электроны туннелируют от плавающего затвора к источнику и подложке.

2. Операция записи (программы):

Флэш-ячейка NOR может быть запрограммирована или установлена ​​в двоичное значение «0» с помощью следующей процедуры.
Во время записи на управляющий элемент (линию слова) подается высокое напряжение около 12 В. Если на битовую линию (терминал Drain) подается высокое напряжение около 7 В, в ячейке сохраняется бит 0. Канал теперь включен, поэтому электроны могут течь от истока к стоку. Через тонкий слой оксида электроны движутся к плавающему затвору. Ток исток-сток достаточно велик, чтобы некоторые высокоэнергетические электроны прыгали через изолирующий слой на плавающий затвор посредством процесса, называемого инжекцией горячих электронов.

Из-за приложенного напряжения к плавающему затвору возбужденные электроны вытесняются и задерживаются на другой стороне тонкого оксидного слоя, придавая ему отрицательный заряд на плавающем затворе. Эти отрицательно заряженные электроны действуют как барьер между управляющим затвором и плавающим затвором.

Если на сток по битовой линии подать низкое напряжение, количество электронов на плавающем затворе останется прежним, а логическое состояние не изменится, сохраняя бит 1. Поскольку плавающий затвор изолирован оксидом, заряд накапливается на плавающие ворота не просочится, даже если питание отключено.
Устройство, называемое датчиком ячейки, следит за уровнем заряда, проходящего через плавающие затворы. Если поток через вентиль пересекает 50-процентный порог, он имеет значение 1. Когда проходящий заряд снижается до уровня ниже 50-процентного порога, значение изменяется на 0.
Из-за очень хороших изоляционных свойств SiO2 заряд на плавающем затворе уходит очень медленно.

3. Операция чтения:

Подайте напряжение около 5 В на управляющий затвор и около 1 В на сток.Состояние ячейки памяти определяется по току, протекающему между стоком и истоком.

Для считывания данных на управляющий затвор подается напряжение, и канал MOSFET будет либо проводящим, либо останется изолирующим, в зависимости от порогового напряжения ячейки, которое, в свою очередь, контролируется зарядом на плавающем затворе. Ток, протекающий через канал MOSFET, воспринимается и формирует двоичный код, воспроизводящий сохраненные данные.

Интерфейс флэш-памяти:

Интерфейс флэш-памяти

аналогичен интерфейсу SRAM, за исключением того, что флэш-памяти требуется напряжение программирования 12 В/5 В для стирания и записи новых данных.

 

Рис. 6

На приведенном выше рисунке показана принципиальная схема NOR flash IC 28F400 от Intel, подключенная к 16-разрядному процессору (данные) или микроконтроллеру. 28F400 можно настроить как устройство памяти 512K x 8 или как устройство памяти 256K x 16. Здесь, в приведенном выше случае, конфигурация 512K x 8. Контакты управления CE, OE и WE аналогичны интерфейсу SRAM.

A0–A17 — адресные выводы, а DQ0–DQ15 — выводы данных.
Функция каждого контакта управления,

OE (OUTPUT ENABLE): Включает вывод устройства через буферы данных во время цикла чтения. OE активный низкий уровень.
WE (WRITE ENABLE): Управляет записью в регистр команд и блоки массива. WE — активный низкий уровень. Адреса и данные фиксируются по переднему фронту импульса WE.
CE (CHIP ENABLE): Активирует логику управления устройством, входные буферы, декодеры и усилители считывания. CE активный низкий уровень.CE high отменяет выбор устройства памяти и снижает энергопотребление до уровня ожидания. Если CE и RP имеют высокий уровень, но не высокий уровень CMOS, ток в режиме ожидания будет увеличиваться из-за тока, протекающего через входные каскады CE и RP.
БАЙТ: Настраивает, работает ли устройство в байтовом режиме (x8) или в режиме слова (x16). Этот вывод должен быть установлен при включении питания или возврате из глубокого отключения питания и не должен изменяться во время работы устройства. Вывод BYTE должен управляться на уровне CMOS, чтобы соответствовать текущей спецификации CMOS в режиме ожидания.
Когда BYTE имеет низкий логический уровень, включается побайтовый режим, в котором данные считываются и программируются на DQ0-DQ7, а DQ15/A-1 становится адресом младшего порядка, который декодирует между старшим и младшим байтами. DQ8-DQ14 находятся в трех состояниях в побайтовом режиме.
Когда BYTE находится на высоком логическом уровне, включается общесловный режим, в котором данные считываются и программируются на DQ0-DQ15.

Vpp (ПИТАНИЕ ПРОГРАММЫ/СТЕРЕТЬ): Для стирания блоков массива памяти или программирования данных в каждом блоке на этот контакт необходимо подать напряжение 5 В ± 10 % или 12 В ± 5 %.Когда VPP < VPPLK, все блоки блокируются и защищаются от команд Program и Erase.

RP/PWD (RESET/DEEP POWER-DOWN): Использует три уровня напряжения (VIL, VIH и VHH) для управления двумя различными функциями: режим сброса/глубокого отключения питания и разблокировка загрузочного блока. Он обратно совместим с продуктами BX/BL/BV. Когда RP находится на низком логическом уровне, устройство находится в режиме сброса/глубокого отключения питания, который переводит выходы в состояние High-Z, сбрасывает конечный автомат записи и потребляет минимальный ток.
Когда RP находится на высоком логическом уровне, устройство работает в стандартном режиме. Когда RP переходит от низкого логического уровня к высокому логическому уровню, устройство по умолчанию переходит в режим чтения массива.
Когда RP находится в VHH, загрузочный блок разблокирован и может быть запрограммирован или стерт. Это отменяет любое управление со входа WP.

Декодер IC 74LS139 используется в приведенной выше схеме для выбора флэш-памяти через A19 и IO/M в качестве входов.


Чтобы получить больше информации, пожалуйста, прочтите эту заметку по применению, доступную по адресу
. фтп://загрузить.intel.com/design/intarch/applnots/29219801.PDF


Чтобы узнать о некоторых микросхемах флэш-памяти, доступных на рынке, нажмите на статью ниже

.

Микросхемы флэш-памяти для встраиваемых систем

Чтобы узнать о некоторых новейших микросхемах флэш-памяти, заменяющих микросхемы энергонезависимой памяти, такие как FRAM PRAM и FRAM, доступных на рынке, нажмите на статью ниже

Альтернативы энергонезависимой флэш-памяти: FRAM, PRAM и MRAM

Этот интерфейсный модуль флэш-памяти на сербско-хорватском языке на esmod16serbo


Нажмите на текст ниже, чтобы войти в следующий модуль курса по встраиваемым системам
Следующий модуль – 16 (интерфейс ЖК-дисплея)

Нажмите на текст ниже, чтобы войти в предыдущий модуль
 Предыдущий модуль – 14 (интерфейс памяти SRAM)

 

     

 

ОБ ЭТОМ КУРСЕ:

Всего EEHerald планирует привезти 12 модулей. Вы можете быть уверены, что пройдете базовый курс по встраиваемым системам после изучения и выполнения упражнений во всех модулях. Мы отдадим приоритет программированию и последовательной связи (SPI, USB, CAN и т. д.). Чтобы получить копию полной программы курса, пожалуйста, напишите нам.

Это бесплатное учебное пособие по встраиваемым системам подготовлено профессионалами в области встраиваемых систем с достаточно хорошим опытом работы в промышленности, однако нам нужны ваши отзывы о содержании этого курса; присылайте свои вопросы, предложения и комментарии на адрес [email protected]ком. Ответы на ваши вопросы по существующим модулям будут даны в пересмотренных модулях. Мы можем изменить содержание курса на основе большинства ваших запросов и отзывов.
Пожалуйста, сообщите своим друзьям об этом курсе, мы просим вас отправить эту ссылку по электронной почте вашим друзьям и коллегам, которые заинтересованы во встроенной системе.

MSI Global — ведущий бренд в области высокопроизводительных игр и профессионального творчества

С момента выпуска процессоров AMD Ryzen серии 3000 вам может быть интересно, поддерживают ли их ваши старые материнские платы AM4.

Короче говоря, да. В процессорах Ryzen 3-го поколения (серии 3000) по-прежнему используется разъем AM4, как и в моделях серии 1000/2000, что означает, что вы можете модернизировать свой процессор, чтобы добиться более высокой производительности и эффективности многоядерных процессоров без необходимости обновления материнской платы. Однако вашей материнской плате потребуется обновление BIOS.

В этой статье мы рассмотрим следующее:
— Обзор бета-версии BIOS — кто должен обновлять BIOS и как его получить?
– Как обновить BIOS? Кнопка прошивки BIOS и M-Flash

Обзор бета-версии BIOS

После обновления до бета-версии BIOS вы можете заметить, что пользовательский интерфейс полностью отличается от версии, которая была у вас до обновления.

Короче говоря, ограниченный размер ПЗУ BIOS сделал это необходимым. Мы упростили интерфейс бета-версии BIOS, чтобы поддерживать как можно больше моделей процессоров, не выходя за пределы ПЗУ BIOS. Хотя бета-версия BIOS представляет собой версию Click BIOS (GSE Lite) с меньшей графикой и меньшим количеством значков, чем в Click BIOS 5, вы не потеряете доступ к каким-либо эксклюзивным функциям MSI, таким как A-XMP, M-Flash и Smart Fan Control.

Только пользовательский интерфейс выглядит иначе. Не тот функционал!

Кто должен выполнить обновление до бета-версии BIOS?

Если вы уже приобрели процессор AMD Ryzen серии 3000 без обновления до материнской платы X570, вам необходимо обновить бета-версию BIOS, прежде чем переходить на новый процессор.

С другой стороны, если вы еще не приняли решение и ждете дополнительных сторонних тестов и обзоров, вам не нужно немедленно обновляться до бета-версии BIOS.

Информация о поддержке процессоров для новой бета-версии BIOS приведена ниже:


Все бета-версии BIOS, перечисленные здесь, для серии 400 вы также можете загрузить со страницы поддержки.

Материнские платы серии X470

Ссылка на бета-версию BIOS

X470 GAMING PRO CARBON AC

Материнские платы серии B450

Ссылка на бета-версию BIOS

B450 GAMING PRO УГЛЕРОД AC

Материнские платы серии X370

Ссылка на бета-версию BIOS

X370 XPOWER ИГРОВОЙ ТИТАН

X370 GAMING PRO CARBON AC

Материнские платы серии B350

Ссылка на бета-версию BIOS

Материнские платы серии A320

Ссылка на бета-версию BIOS


* RAID будет поддерживаться в следующем обновлении BIOS для всех старых материнских плат AM4, кроме плат с чипсетом A320.

Как обновить БИОС?

Прежде чем вы сможете насладиться улучшениями, которые предлагают процессоры Ryzen 3-го поколения на старых материнских платах, вам необходимо обновить BIOS. Есть два способа обновить BIOS — независимо от того, хотите ли вы перейти на новую бета-версию BIOS или вернуться к более старой версии.

Кнопка прошивки BIOS

Эксклюзивная функция MSI — кнопка Flash BIOS упрощает процесс прошивки BIOS с помощью маленькой кнопки на задней панели ввода-вывода. Это реализовано на большинстве материнских плат MSI 400-й серии.

Подготовьте USB-накопитель с файлами BIOS, подключите его к специальному USB-порту и нажмите кнопку Flash BIOS. Материнская плата запустит новый BIOS в течение нескольких минут. Благодаря этой функции вам не нужно устанавливать процессор, оперативную память или видеокарту для обновления BIOS.

Если вы не знакомы с перепрошивкой BIOS, это руководство должно вам помочь: https://youtu.be/iTkXunUAriE

Список старых материнских плат MSI AM4 (серии 300 и 400) с кнопкой Flash BIOS:

Материнские платы серии 400

Материнские платы серии 300

X470 ИГРОВОЙ М7 ПОДТВЕРЖДЕНИЕ

X370 XPOWER ИГРОВОЙ ТИТАН

B450 GAMING PRO УГЛЕРОД AC

X370 ИГРОВОЙ М7 ПОДТВЕРЖДЕНИЕ


Что делать, если на моей плате нет кнопки Flash BIOS?

Нет пота! Все материнские платы MSI оснащены M-Flash, простой функцией обновления в Click BIOS 5, которая упрощает обновление BIOS.Вы сможете найти его как в простом, так и в расширенном режиме BIOS.

Подготовьте USB-накопитель с файлами обновления BIOS, вставьте его в специальный USB-порт, перезагрузите процессор предыдущего поколения и перейдите к M-Flash на экране BIOS. Обратите внимание: для выполнения этого обновления вам понадобится более старый процессор AMD.